Вивчено питання розробки технології отримання та дослідження електрофізичних параметрів надчистих і структурно досконалих монокристалів Si для детекторів та приймачів випромінювань. Побудовано й експериментально обгрунтовано завершений комплект фізичних і математичних моделей процесів для розрахунку технологічних режимів безтигельного зонного очищення та вирощування надчистих монокристалів Si з заданими електрофізичними та структурними параметрами, визначення придатності полікристалічного Si для отримання надчистих монокристалів Si. Викладено результати комплексного дослідження різноманітних джерел технологічних забруднень. Реалізовано нові додаткові процеси низькотемпературної та радіаційно-термічної реабілітації електрофізичних параметрів надчистих бездислокаційних монокристалів Si та підвищення їх пружності під час механічних операцій. Розглянуто наукові та практичні засади промислових методів високоточного та однорідного легування монокристалів Si різноманітними домішками, нейтронно-трансмутаційного та гамма-трансмутаційного легування Si.

  Скачати повний текст